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晶体管
IPP200N15N3GXKSA1参考图片

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IPP200N15N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
G IPP200N15N3 IPP2N15N3GXK SP000680884
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP200N15N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP042N03L G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.9157
10:¥7.6049
100:¥5.8421
500:¥5.1641
1,000:¥4.068
参考库存:86109
SISH108DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH
1:¥5.4579
10:¥4.4183
100:¥3.3448
500:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.0001
参考库存:33256
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:5633
RD3P050SNFRATL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥8.8366
10:¥7.6049
100:¥5.8308
500:¥5.1528
1,000:¥4.068
2,500:¥3.616
参考库存:16100
SIJA54DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥9.9892
10:¥8.8366
100:¥7.0738
500:¥5.537
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.1132
参考库存:81322

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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