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BSM100GB120DLC

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9990.782
30
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCHOSA1 SP000100721
商品其它信息
优势价格，BSM100GB120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMPB12UNEX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB12UNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
1:¥3.9211
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:25587
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T1 60V PCH
1:¥3.6838
10:¥2.8137
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
9,000:¥0.92208
参考库存:424269
FF650R17IE4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,132.3761
参考库存:3686
STW33N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:6088
SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
参考库存:27875

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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