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晶体管
STW33N60DM2参考图片

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STW33N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥34.2729
34.2729
10
¥29.1201
291.201
100
¥25.199
2519.9
250
¥23.8995
5974.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW33N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW33N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.84524
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:214131
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:76283
晶体管
MOSFET 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
8,000:¥0.52997
24,000:查看
参考库存:17070
晶体管
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1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:52252
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥1.1526
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:149644
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    50万现货SKU

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