MUN5133T1G详细信息_MUN5133T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70/SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	310 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5133
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.85 mm
长度	2.1 mm
宽度	1.24 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PXAC241702FC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥597.1259	参考库存:27764
APTGLQ200A120T3AG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	100:¥705.5494	参考库存:27769
CMLM0584 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch 450mA MOSFET & 40V 500mA Schottky	6,000:¥1.4464 9,000:¥1.3447 24,000:¥1.2769 45,000:¥1.243	参考库存:76010
GTVA261701FA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,097.7385	参考库存:27776
STU4N52K3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3	1:¥8.2264 10:¥6.3732 100:¥5.0737 500:¥4.6217	参考库存:27781