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晶体管
IPD088N06N3 G参考图片

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IPD088N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
2,500
¥2.938
7345
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPD088N06N3GBTMA1 IPD88N6N3GXT SP000453620
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD088N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2702JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.61472
参考库存:19620
ZXT13N15DE6TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN SuperSOT4
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:21137
IRFL024ZTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
1:¥5.2206
10:¥4.3505
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥2.2487
参考库存:13389
FQD6N40CTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Advance QFET
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
2,500:¥3.0171
参考库存:24871
BSS806NE H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:26033

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    50万现货SKU

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