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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TUMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMG8N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.77 mm
长度	2 mm
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMG8N
单位重量	35 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RJH1CM5DPQ-E0#T2	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT	1:¥48.251 10:¥43.1095 25:¥38.8042 50:¥37.0414	参考库存:28993
BCP5316H6433XTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.7629 10:¥3.1753 100:¥1.9323 1,000:¥1.5029 4,000:¥1.2769	参考库存:28998
DTA114ECAT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA 3PIN	1:¥3.2318 10:¥2.2487 100:¥1.03734 1,000:¥0.79891 3,000:¥0.67574	参考库存:29003
FSAM30SM60A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 600V/30A/ SPM2	暂无价格	参考库存:29008
TSM240N03CX6 RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N Channel Power Mosfet	1:¥3.7629 10:¥2.9154 100:¥2.0001 500:¥1.3786 3,000:¥0.92208 9,000:查看	参考库存:29013