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晶体管
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FDP12N50NZ

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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1642
3582.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP12N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP12N50NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor
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250:¥96.9766
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TSM80N950CI C0G
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5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
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10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
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APTGT400A120D3G
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晶体管
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100:¥1,615.4819
参考库存:28180

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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