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晶体管
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BDV64BG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
400 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BDV64B
封装
Tube
高度
12.2 mm
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,BDV64BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥170.8899
250:¥156.8327
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100:¥212.3044
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暂无价格
参考库存:32921
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