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晶体管
CSD19531KCS参考图片

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CSD19531KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.4524
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19531KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
8.4 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19531KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/NPN Matched Double Transistor
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
3,000:¥0.92208
参考库存:30588
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS Comp Dual Trans 200mW 10kOhm
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:55005
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:44927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:45009
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:29581
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    50万现货SKU

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