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产品分类

晶体管
PHE13009/DG,127参考图片

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PHE13009/DG,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN POWER TRANSISTOR
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库存:12,826(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥4.9381
49.381
100
¥3.1866
318.66
1,000
¥2.5538
2553.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.32 V
最大直流电集电极电流
12 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934065587127
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,PHE13009/DG,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 25V
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.07576
参考库存:31884
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:23901
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
1:¥128.0968
10:¥116.4126
25:¥107.7342
50:¥101.8921
参考库存:4388
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 370A
1:¥1,323.4108
5:¥1,291.5222
10:¥1,259.4867
参考库存:1990
晶体管
IGBT 晶体管 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
500:¥19.7524
参考库存:3832
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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