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晶体管
FGH15T120SMD-F155参考图片

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FGH15T120SMD-F155

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库存:3,832(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
500
¥19.7524
9876.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247G03-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH15T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH15T120SMD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH15T120SMD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V T2 TO220
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
参考库存:6124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V HIGH GAIN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:16936
晶体管
MOSFET P-CH 20V 1A
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:17743
晶体管
MOSFET 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:19805
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.7687
1,000:¥5.6048
2,500:¥5.2206
参考库存:9927
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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