MUN5313DW1T1G详细信息_MUN5313DW1T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363(PB-Free)-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	256 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5313DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPW90R120C3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3	1:¥122.0174 10:¥112.1864 25:¥107.4969 100:¥94.7392	参考库存:11841
IRF3710ZSTRLPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg	1:¥12.4526 10:¥10.5994 100:¥8.4524 500:¥7.4354 800:¥6.1585	参考库存:32833
FDMS86103L	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET	1:¥13.0628 10:¥11.1418 100:¥8.9157 500:¥7.7631 1,000:¥6.4636 3,000:¥6.0229	参考库存:12955
DDA123JU-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 47K	1:¥2.8476 10:¥1.9097 100:¥0.79891 1,000:¥0.54579 3,000:¥0.42262	参考库存:10947
STB10LN80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package	1:¥21.2101 10:¥18.0574 100:¥14.4414 500:¥12.5995 1,000:¥10.4525	参考库存:3399