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晶体管
PHE13003C,412参考图片

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PHE13003C,412

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Silicon diffused power transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.147
21.47
100
¥1.02152
102.152
1,000
¥0.78422
784.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
25
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
零件号别名
934063922412
单位重量
217 mg
商品其它信息
优势价格，PHE13003C,412的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD20010TR-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
600:¥96.4342
参考库存:28430
DCX51-16-13
Diodes Incorporated
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12,000:¥1.7063
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参考库存:28440
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Infineon Technologies
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1,000:¥41.0303
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参考库存:28445
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1:¥6.5314
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.277
2,500:¥2.3052
5,000:查看
参考库存:28450

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