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晶体管
IKW75N65ES5XKSA1参考图片

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IKW75N65ES5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
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数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.42 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65ES5 SP001319684
单位重量
6.052 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N65ES5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
2,000:¥1.9662
参考库存:142237
晶体管
MOSFET DUAL Pwr MOSFET & SCHOTTKY DIODE
1:¥5.0737
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8419
参考库存:17239
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥734.8164
10:¥674.271
25:¥605.115
50:¥535.959
参考库存:32691
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2
1:¥50.7935
10:¥43.1886
100:¥37.4256
250:¥35.5046
1,000:¥26.8149
2,000:查看
参考库存:32696
晶体管
MOSFET 20V 21A 3.5W 4.5mohm @ 10V
1:¥22.8938
10:¥18.984
100:¥15.6731
250:¥15.142
500:¥13.6052
2,500:¥13.6052
参考库存:32701
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