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晶体管
FQB9N50CTM参考图片

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FQB9N50CTM

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库存:10,858(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.605
960.5
500
¥8.3733
4186.65
800
¥6.9382
5550.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
135 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB9N50C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.5 S
下降时间
64 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FQB9N50CTM_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB9N50CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥22.1254
10:¥18.3625
100:¥15.142
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:13225
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:47556
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:8127
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:8109
晶体管
MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:51676
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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