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晶体管
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CSD18537NQ5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:34,626(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.8421
58.421
100
¥3.7516
375.16
1,000
¥3.0058
3005.8
2,500
¥2.7233
6808.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18537NQ5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.4 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18537NQ5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK7M45-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:11892
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥485.0864
5:¥470.419
10:¥456.5878
25:¥428.0779
参考库存:2669
晶体管
MOSFET NCH 250V 3A TP-FA(DPAK)
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
700:¥2.4408
参考库存:12331
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:44133
晶体管
MOSFET 50V 200mA N-Channel
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:1741945
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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