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晶体管
HN1B04FU-GR,LF参考图片

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HN1B04FU-GR,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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库存:44,133(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.7854
17.854
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.50737
507.37
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
150 MHz, 120 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1B04
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,HN1B04FU-GR,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PSMN014-80YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:50675
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
1:¥4,717.6709
5:¥4,433.3629
参考库存:2867
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:14564
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Current Driver
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥1.921
参考库存:42816
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V
1:¥616.9461
5:¥605.5783
10:¥578.3792
25:¥559.0901
参考库存:2838
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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