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晶体管

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APTGL60DDA120T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:2,669(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥485.0864
485.0864
5
¥470.419
2352.095
10
¥456.5878
4565.878
25
¥428.0779
10701.9475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGL60DDA120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.80682
参考库存:45215
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥41.4936
10:¥33.3463
100:¥27.3573
500:¥24.5888
参考库存:5812
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥630.088
25:¥614.72
50:¥583.984
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP SuperSOT4
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:19311
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
参考库存:31923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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