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晶体管
AUIRFS8409-7P参考图片

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AUIRFS8409-7P

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
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库存:11,020(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.0302
39.0302
10
¥33.1203
331.203
100
¥28.7359
2873.59
250
¥27.2782
6819.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
522 A
Rds On-漏源导通电阻
750 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
305 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
CoolIRFet
封装
Tube
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
176 S
下降时间
107 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
148 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
149 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
SP001522376
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFS8409-7P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:3672
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:88094
晶体管
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,500:¥6.7122
5,000:查看
参考库存:19621
晶体管
MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
800:¥7.1755
参考库存:13423
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5915
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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