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产品分类

晶体管
SIA817EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA817EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:362,763(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
LITTLE FOOT, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SIA817EDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1696
250:¥2.1696
1,000:¥1.6724
参考库存:8604
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:3926
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:7148
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:21205
晶体管
IGBT 模块
1:¥51,270.9476
参考库存:2247
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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