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晶体管
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FDPF4D5N10C

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
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数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥39.1884
391.884
100
¥33.9678
3396.78
250
¥32.2728
8068.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
128 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
37.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
134 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
29 ns
商品其它信息
优势价格，FDPF4D5N10C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VEC2616-TL-H-Z-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
3,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:93981
2N6433
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
2,000:¥12.9837
4,000:¥12.4526
参考库存:30945
MMRF1017NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
250:¥1,181.7992
参考库存:30950
2N6667
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1,200:¥8.8366
2,800:¥8.2264
5,200:¥7.91
10,000:¥7.6049
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DRA3143T0L
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:30960

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