TSM13ND50CI RLG详细信息_TSM13ND50CI RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	13 A
Rds On-漏源导通电阻	480 mOhms
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMNH10H028SPSQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W	2,500:¥6.9721	参考库存:30416
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