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晶体管
BSS83PH6327XTSA1参考图片

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BSS83PH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.2939
22.939
100
¥1.05316
105.316
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.69156
2074.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
330 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.24 S
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
BSS83P BSS83PH6327XT H6327 SP000702486
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS83PH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:14235
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26894
参考库存:60564
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.8366
参考库存:4196
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:45893
  • 海量现货

    50万现货SKU

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