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晶体管
NTJS3151PT1G参考图片

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NTJS3151PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 12V 3.3A P-Channel
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
133 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJS3151P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
1.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3.5 ns
典型接通延迟时间
0.86 ns
商品其它信息
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