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晶体管
DMN33D8LDW-7参考图片

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DMN33D8LDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
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库存:198,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.60681
606.81
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms, 2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.23 nC, 1.23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN33
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.6 ns, 13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns, 2.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.2 ns, 18.2 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns, 2.9 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMN33D8LDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75 / 80
1:¥44.7254
10:¥38.0358
100:¥32.9621
250:¥31.2784
参考库存:3648
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:7100
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
1:¥11.4469
10:¥9.1417
100:¥7.9891
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
参考库存:14712
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:7954
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:78306
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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