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晶体管
KSC2383YTA参考图片

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KSC2383YTA

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09836
1098.36
2,000
¥0.94468
1889.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC2383
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
8 mm
长度
4.9 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
900 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
KSC2383YTA_NL
单位重量
371.100 mg
商品其它信息
优势价格,KSC2383YTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.8422
10:¥7.1416
25:¥5.989
100:¥5.4579
250:¥5.0737
2,000:¥5.0737
参考库存:30731
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:30736
晶体管
IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.8366
参考库存:9671
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:30743
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:30748
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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