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晶体管
SGS10N60RUFDTU参考图片

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SGS10N60RUFDTU

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库存:9,671(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.9783
17.9783
10
¥15.2889
152.889
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
1,000
¥8.8366
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
55 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGS10N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.19 mm
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGS10N60RUFDTU_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,SGS10N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
1,000:¥34.578
2,000:¥29.5834
参考库存:35416
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
1:¥103.1916
10:¥94.8974
25:¥90.9763
100:¥80.1396
参考库存:7586
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:35423
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0173
500:¥6.2037
1,000:¥4.8929
参考库存:16273
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥2.486
4,000:¥2.2713
10,000:¥2.0679
24,000:¥2.034
参考库存:35430
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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