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晶体管
IPB108N15N3 G参考图片

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IPB108N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存：18,043(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
1,000
¥16.5206
16520.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB108N15N3GATMA1 IPB18N15N3GXT SP000677862
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB108N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC337-40-AP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN -0.8A 0.625W
1:¥3.616
10:¥2.034
100:¥1.09158
500:¥0.87575
20,000:¥0.43053
40,000:查看
参考库存:73966
IPA60R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9947
参考库存:2973
R5021ANX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥15.2098
250:¥14.4414
500:¥12.9837
参考库存:3565
BSZ340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
5,000:¥1.695
参考库存:32802
IRG4PF50WDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz
1:¥64.9298
10:¥58.7035
25:¥55.935
100:¥48.5674
参考库存:4659

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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