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晶体管

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BSM100GD120DN2

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数量单价合计
1
¥1,902.1742
1902.1742
5
¥1,856.3753
9281.8765
10
¥1,810.2713
18102.713
25
¥1,784.9141
44622.8525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
680 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365
商品其它信息
优势价格,BSM100GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
1,000:¥3.5143
参考库存:20469
晶体管
MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
1:¥6.4523
10:¥5.198
100:¥3.955
3,000:¥3.955
参考库存:99016
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:39523
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥30.0467
10:¥25.5154
100:¥22.1254
250:¥20.9728
参考库存:7055
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50/100mA/2.2K 47K
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:37417
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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