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晶体管
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IRG4PF50WDPBF

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数量单价合计
1
¥64.9298
64.9298
10
¥58.7035
587.035
25
¥55.935
1398.375
100
¥48.5674
4856.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
51 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
51 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001547862
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PF50WDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMUT4401 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary NPN 60Vcbo 40Vceo 250mW
9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
参考库存:34214
MPSA13
Rectron
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达林顿晶体管 TO92 NPN 0.5A 30V Da rlington
6,000:¥0.42262
10,000:¥0.3842
24,000:¥0.37629
参考库存:34219
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参考库存:34224
2N5303
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥380.7422
250:¥348.7745
参考库存:34229
DMN2022UDH-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥1.5368
参考库存:34234

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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