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晶体管
ZXT13N50DE6TA参考图片

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ZXT13N50DE6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Low Sat
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
3,000
¥2.2148
6644.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
145 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
115 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT13N50
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,ZXT13N50DE6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
2,500:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:25668
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:40888
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥1,353.8417
5:¥1,321.2638
10:¥1,288.4486
25:¥1,270.3912
参考库存:1175
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:46107
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC70 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:25679
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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