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晶体管
FZ3600R17HP4_B2参考图片

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FZ3600R17HP4_B2

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库存:10,314(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12,416.6547
12416.6547
5
¥12,218.1024
61090.512
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
在25 C的连续集电极电流
3600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
21 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ3600R17HP4B2BOSA2 SP001052028
商品其它信息
优势价格,FZ3600R17HP4_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIG SMT PNP/NPN
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:15655
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
1:¥7.91
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
2,500:¥3.2092
10,000:查看
参考库存:7192
晶体管
MOSFET MOSFET - Pb Free
1:¥42.036
10:¥37.4934
25:¥33.7305
50:¥32.2728
参考库存:2534
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:123151
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.7577
5,000:¥9.4468
10,000:查看
参考库存:73863
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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