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晶体管
SISA18ADN-T1-GE3参考图片

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SISA18ADN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存：41,282(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.8928
289.28
500
¥2.373
1186.5
1,000
¥1.8419
1841.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
38.3 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SISA18ADN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPH3240-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5594
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
参考库存:31426
QS6J11TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 2A 6PIN
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
3,000:¥1.7628
参考库存:37138
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:7680
IRFR220PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥6.9156
10:¥5.5596
100:¥4.8364
500:¥3.5821
1,000:¥3.4465
参考库存:54972
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.1019
参考库存:27174

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    50万现货SKU

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