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晶体管
SI7949DP-T1-GE3参考图片

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SI7949DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:23,405(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.9046
129.046
100
¥10.3734
1037.34
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI7949DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7949DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥285.6866
2:¥277.9348
5:¥270.2508
10:¥262.5668
参考库存:3670
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:23612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS TSOP-6 NPN 30V
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:46354
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN / PNP 50V 3A 600mW 100MHz
1:¥3.0736
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:25831
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:43428
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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