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晶体管
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IKW40N65F5

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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数量单价合计
240
¥25.4363
6104.712
480
¥24.1255
11580.24
720
¥21.6734
15604.848
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
255 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65F5FKSA1 SP000973418
商品其它信息
优势价格，IKW40N65F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:30820
SCT30N120H
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1,000:¥108.8868
参考库存:30825

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