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晶体管
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TGF2040

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm
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数量单价合计
100
¥50.9404
5094.04
300
¥47.5617
14268.51
500
¥44.4881
22244.05
1,000
¥41.5727
41572.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
13 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
129 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
155 mS
NF—噪声系数
1.1 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098615
商品其它信息
优势价格，TGF2040的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
5,000:¥5.8195
10,000:查看
参考库存:21921
FDC653N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:47468
VNP20N07-E
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:11230
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.616
10:¥2.0679
100:¥1.2091
500:¥0.97632
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:6407
SBC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
8,000:¥0.73789
参考库存:101204

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    50万现货SKU

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