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晶体管
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HGTD1N120BNS9A

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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5653
3282.65
1,000
¥5.1867
5186.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
5.3 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTD1N120BNS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
5.3 A
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
5.3 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，HGTD1N120BNS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2369AU
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥358.5377
250:¥328.4119
参考库存:36587
RMP2N70LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
5,000:¥1.3334
10,000:¥1.2204
25,000:¥1.1978
参考库存:36592
JANTX2N2919L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥329.6436
250:¥307.6651
参考库存:36597
BSM75GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 75A 3-PHASE
10:¥925.8429
30:¥906.4069
100:¥861.0713
参考库存:36602
JANSF2N2222A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥715.7646
5:¥693.4019
10:¥670.9714
25:¥639.693
50:¥617.2512
100:¥603.8833
参考库存:36607

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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