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晶体管
SIHU3N50D-E3参考图片

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SIHU3N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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库存:14,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7404
57.404
100
¥4.407
440.7
500
¥3.7855
1892.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIHU3N50D-GE3
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,SIHU3N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 23A TO220-3
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
500:¥20.5208
参考库存:12803
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V 6A 3-PIN
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:27550
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VLT NPN PWR TRANS
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
2,500:¥2.6894
参考库存:17997
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:6809
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:36916
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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