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晶体管
BSS670S2LH6327XT参考图片

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BSS670S2LH6327XT

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库存:187,390(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.808
18.08
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.5989
598.9
3,000
¥0.45313
1359.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS670S2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
600 mS
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
BSS670S2LH6327XTSA1 SP000928950
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS670S2LH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
参考库存:9519
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥536.1172
参考库存:35676
晶体管
MOSFET Power BJT
100:¥1,851.6858
参考库存:35681
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
110:¥131.5546
250:¥119.9495
500:¥112.1864
参考库存:35686
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥4.6104
10:¥4.1584
25:¥3.6838
100:¥3.2092
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:35691
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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