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晶体管
CSD17581Q3AT参考图片

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CSD17581Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Channel NexFET
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库存:8,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.537
55.37
100
¥4.2375
423.75
250
¥4.2375
1059.375
500
¥3.7403
1870.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17581Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
78 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
27.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17581Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
参考库存:8016
晶体管
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.8256
500:¥12.9837
参考库存:7228
晶体管
MOSFET N-channel 55 V, 0.012 Ohm, 60 A DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:15570
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
4,000:¥5.989
8,000:查看
参考库存:22457
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥8.2942
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
2,500:¥3.39
10,000:查看
参考库存:15734
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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