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晶体管
SSM6L35FE,LM参考图片

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SSM6L35FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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库存:43,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
4,000
¥0.49946
1997.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA, 100 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms, 44 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6L35
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6L35FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:45948
晶体管
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:9015
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:13647
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
1,500:¥3.4804
参考库存:2144
晶体管
MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.582
参考库存:13416
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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