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晶体管
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C3M0065100J

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
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数量单价合计
1
¥93.4397
93.4397
100
¥89.8237
8982.37
500
¥85.4506
42725.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
15 V, - 4 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
14.3 S
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，C3M0065100J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDC6303N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 25V
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.07576
参考库存:31884
SI7129DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:23901
IRFPS38N60LPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
1:¥128.0968
10:¥116.4126
25:¥107.7342
50:¥101.8921
参考库存:4388
FF300R12MS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 370A
1:¥1,323.4108
5:¥1,291.5222
10:¥1,259.4867
参考库存:1990
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
500:¥19.7524
参考库存:3832

  • 海量现货

    50万现货SKU

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