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晶体管
RSF015N06FRATL参考图片

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RSF015N06FRATL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 60V Vds 1.5A 0.255Rds(on) 2Qg
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TUMT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RSF015N06FRA
商品其它信息
优势价格，RSF015N06FRATL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P50S65M2-F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:28991
FZ1800R17HP4_B9
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥6,747.7837
5:¥6,639.9026
参考库存:28996
DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V P-CH MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:29001
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:29006
MHT1002GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,475.6331
参考库存:29011

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    50万现货SKU

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