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晶体管
NGTB40N120FL3WG参考图片

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NGTB40N120FL3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
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数量单价合计
1
¥43.7197
43.7197
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1937
3219.37
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.4364
13718.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120FL3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:115949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.8024
100:¥1.7628
500:¥1.4238
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12551
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0512
参考库存:4768
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
暂无价格
参考库存:32807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR NPN
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:57470
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    50万现货SKU

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