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晶体管
NGTB40N120FL3WG参考图片

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NGTB40N120FL3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
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库存:10,212(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.7197
43.7197
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1937
3219.37
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.4364
13718.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120FL3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
4,000:¥2.034
参考库存:35613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:10265
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:9227
晶体管
MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
1:¥4.9155
10:¥4.2262
100:¥3.1414
500:¥2.3052
5,000:¥1.4803
10,000:查看
参考库存:25484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:2991
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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