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晶体管
TSM200N03DPQ33 RGG参考图片

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TSM200N03DPQ33 RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
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库存:25,484(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.2262
42.262
100
¥3.1414
314.14
500
¥2.3052
1152.6
5,000
¥1.4803
7401.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
Dual N-Channel PowerMOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
4.6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.8 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
商品其它信息
优势价格,TSM200N03DPQ33 RGG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
1:¥7.6049
10:¥6.2828
100:¥4.8251
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
3,000:¥3.277
参考库存:19156
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT23
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
参考库存:33803
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 4.5A TSOP-6
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:184295
晶体管
MOSFET Nch MOS FET
1:¥7.8422
10:¥6.0681
100:¥5.3223
500:¥4.7573
1,000:¥3.1414
3,000:¥3.1414
参考库存:18932
晶体管
MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
3,000:¥3.1075
参考库存:25964
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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