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晶体管
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FQD3N60CTM-WS

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库存：34,571(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9098
1954.9
1,000
¥3.0849
3084.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD3N60CTM_WS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FQD3N60CTM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FQD3N60CTM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPT5088 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.08367
参考库存:29150
SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO220-3
1:¥42.488
10:¥36.1148
100:¥31.3462
250:¥29.7416
500:¥26.668
参考库存:6822
DCP53-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V
2,500:¥1.00683
参考库存:104154
DTC114ECAT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 "DTC114EKAT146" IS PREFERRED
1:¥2.8476
10:¥1.9662
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.59212
参考库存:20086
SIR440DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9892
500:¥8.6784
3,000:¥8.6784
参考库存:78118

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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