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晶体管
FQD3N60CTM-WS参考图片

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FQD3N60CTM-WS

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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9098
1954.9
1,000
¥3.0849
3084.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD3N60CTM_WS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FQD3N60CTM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD3N60CTM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥4.9607
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1,000:¥3.4578
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2,000:¥1.3334
参考库存:18660
  • 海量现货

    50万现货SKU

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