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晶体管
STI33N65M2参考图片

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STI33N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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库存:4,530(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
117 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
41.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI33N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI33N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V Dual N ch MOSFET
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
9,000:查看
参考库存:18296
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:223203
晶体管
MOSFET N-Chan 80V 120A
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:28430
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:10217
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
1:¥3.616
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6459
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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