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晶体管
BCY58-VII参考图片

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BCY58-VII

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥13.7521
137.521
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.6841
4842.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 At 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY58-VII PBFREE
商品其它信息
优势价格，BCY58-VII的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN860
InterFET
晶体管
JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW
1:¥180.1898
10:¥153.2167
100:¥142.3122
250:¥130.5489
参考库存:2099
2N5058
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor
1:¥47.9459
10:¥47.4826
25:¥43.2564
100:¥39.0302
参考库存:3326
ECH8661-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:15993
RCJ330N25TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-Channel Mosfet 250V, 33A, 10V gate drive
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:6875
2N2923
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:22287

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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