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晶体管
STGP40V60F参考图片

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STGP40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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库存:27,045(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.5262
1552.62
250
¥14.7578
3689.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP40V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:43639
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:7951
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 25V 800mA HFE/400
1:¥2.0792
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:41858
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
2,000:¥3.0397
参考库存:7085
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
参考库存:4667
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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