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晶体管
ZXMHC3F381N8TC参考图片

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ZXMHC3F381N8TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.98 A, 4.13 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 12.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.87 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMHC3
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
类型
H-Bridge
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
11.8 S, 14 S
下降时间
6.3 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.5 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns, 1.9 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMHC3F381N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
暂无价格
参考库存:32773
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 11A 17W 1100pF 15nC
暂无价格
参考库存:32778
晶体管
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥42.3411
100:¥40.341
250:¥35.2673
500:¥34.2729
参考库存:32783
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥152.4483
250:¥139.8488
500:¥133.1592
参考库存:32788
晶体管
MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
1,000:¥15.9104
2,000:查看
参考库存:8638
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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